Core Competency
長晶技術

專利技術LYSO晶棒放光率高於標準25%以上
Nd:Yag 高摻高功率雷射
OSLD光激發輻射檢測晶體

切磨拋技術

提供多樣客制化尺寸與外觀之切割要求

組裝技術

取得多層膜封裝專利,並具多種材質之組裝技術

Equipment
Testing report

取得中山大學開發利用柴式提拉法(Czochralski, Cz)生長閃爍晶體的技術。閃爍晶體熔點近2150℃,成長非常不易。我們的長晶爐以柴式提拉法(Czochralski, Cz)生長L(Y)SO晶體,並設計不同的熱場結構,抑制了銥金坩鍋的揮發,延長了保溫耗材的壽命,可有效降低成本。除此之外,生長L(Y)SO晶體之關鍵技術在於對長晶環境嚴格且精細的操作,從電腦自動控制、熱場設計、至最後分離冷卻,每一個步驟都需精準正確。若沒有熟練的生長的技術及經驗,是無法成功長成L(Y)SO閃爍晶體的。這也是目前國際上只有少數公司能夠生長此種晶體的主因。

晶體切磨拋技術在業界雖屬成熟技術,但在國內過去的發展主要集中在使用於太陽能、藍寶石及石英等產業,該等晶圓皆屬直徑在8吋以上之大尺寸晶圓,則廣泛地以線切割的方式進行晶圓切割,以配合大量生產的需求;但由於以CZ法長成之LYSO晶棒主要應用於高端醫材PET/CT,是一個有高度技術障礙的市場,且其尺寸直徑在3吋以下,本公司採用不同於線切割之切割法,在切割過程中能夠保持穩定,不易震動,能夠得到完整的切割面,而切割成晶柱時角度是否精確至關重要,晶柱的角度是成功組裝陣列時的關鍵要素,本公司採用特殊製程,甚至可切割1*1*10mm之長方晶柱。

本公司自2014年裝機試產開始即不斷精進長晶的"眉角",就配方的成分比,熱場的控制改善,長晶的速度,甚至退火的溫度與時間控制等都能穩定控制,因此生產出來的晶體經送歐洲客戶與美國專業機構測試後都獲得極高評價,以下為客戶兩次測試結果報告:

公司別 放光量 +/- 均勻度
6/2014 2/2015
Benchmark 0 +/- 0 %
A 公司 +7 +/- 6.5%
+9.0 +/- 7.1%
B 公司 -4.6 +/- 8.3%
C 公司 +22 +/- 6.4%
宏明晶體 +24.5 +/- 5.8% +30.5 +/- 4.5%